ترکیب DRAM و NAND در حافظه جدید اس‌کی هاینیکس برای افزایش توان پردازشی

فناوری HBS اس‌کی هاینیکس با بهره‌گیری از روش Vertical Wire Fan-Out، اتصالات عمودی دقیق‌تری میان چیپ‌ها ایجاد می‌کند و اتلاف داده را به حداقل می‌رساند.

به گزارش تک‌ناک بخش سخت افزار، شرکت کره‌ای اس‌کی هاینیکس با هدف افزایش توان پردازشی و بهبود عملکرد هوش مصنوعی در دستگاه‌های همراه، درحال توسعه فناوری جدیدی با نام High Bandwidth Storage (HBS) است. این فناوری با ترکیب چیپ‌های DRAM و NAND در ساختار عمودی، می‌تواند سرعت پردازش داده در گوشی‌های هوشمند و تبلت‌ها را افزایش چشمگیری دهد.

به نوشته وبسایت کره‌ای ETNews، فناوری HBS پاسخی به محدودیت‌های فعلی حافظه‌های High Bandwidth Memory (HBM) است که در سال‌های اخیر در محصولات هوش مصنوعی استفاده شده‌اند. در این فناوری، شرکت اس‌کی هاینیکس از روش نوآورانه‌ای به نام Vertical Wire Fan-Out (VFO) بهره می‌برد؛ تکنیکی که اجازه می‌دهد تا حداکثر ۱۶ لایه از چیپ‌های DRAM و NAND به‌صورت عمودی روی یکدیگر قرار گیرند و ازطریق سیم‌کشی مستقیم به هم متصل شوند.

در فناوری‌های متداول، اتصالات بین لایه‌ها به‌صورت خمیده انجام می‌شود که منجر به افت سیگنال و تأخیر در انتقال داده می‌گردد. اما در روش VFO، سیم‌کشی به شکل مستقیم طراحی شده تا از اتلاف داده جلوگیری شود، فاصله انتقال سیگنال کاهش یابد و امکان ایجاد ورودی و خروجی‌های بیشتر فراهم شود. ترکیب این عوامل در نهایت باعث افزایش چشمگیر سرعت پردازش و کارایی کلی دستگاه خواهد شد.

به گفته منابع آگاه، چیپ‌های HBS در کنار تراشه اصلی گوشی یا تبلت بسته‌بندی و سپس روی برد منطقی دستگاه نصب خواهند شد. هنوز جزئیاتی از سازگاری این فناوری با تراشه‌های خاص منتشر نشده؛ اما گمانه‌زنی‌ها حاکی از آن است که تراشه اسنپدراگون ۸ الیت نسل ۶ پرو که از حافظه LPDDR6 و ذخیره‌سازی UFS 5.0 پشتیبانی می‌کند، یکی از گزینه‌های اصلی برای پشتیبانی از HBS خواهد بود.

یکی از مزیت‌های اصلی HBS در مقایسه با HBM، حذف فرایند پرهزینه Through Silicon Via (TSV) است. در فناوری HBM، برای اتصال میان‌لایه‌ای باید درون سیلیکون سوراخ‌هایی ایجاد شود که فرایند تولید را پیچیده و گران می‌کند. درمقابل، HBS بدون نیاز به این مرحله تولید می‌شود که علاوه‌بر کاهش هزینه، موجب افزایش بازده و سهولت در تولید انبوه خواهد شد.

Wccftech می‌نویسد که کارشناسان معتقدند این مزیت می‌تواند HBS را به گزینه‌ای جذاب برای تولیدکنندگان گوشی و تبلت تبدیل کند؛ زیرا امکان دستیابی به عملکردی مشابه حافظه‌های HBM را با هزینه‌ای ارزان‌تر فراهم می‌کند. همچنین، این فناوری می‌تواند مسیر توسعه هوش مصنوعی روی دستگاه (On-Device AI) را هموار سازد و نیاز به اتصال مداوم به سرورهای ابری را کاهش دهد.

درمقابل، گزارش‌ها نشان می‌دهند شرکت اپل همچنان در مسیر استفاده از HBM و TSV برای محصولات آینده خود حرکت می‌کند تا امکان اجرای مدل‌های پیچیده هوش مصنوعی به‌صورت محلی روی دستگاه‌های آیفون را فراهم آورد. بااین‌حال، تحلیلگران پیش‌بینی می‌کنند که اپل نیز در آینده به فناوری HBS توجه نشان دهد؛ زیرا این فناوری می‌تواند میان عملکرد قدرتمند و هزینه مناسب تعادلی مؤثر ایجاد کند.

به باور کارشناسان، موفقیت HBS می‌تواند آغازگر نسل تازه‌ای از دستگاه‌های هوشمند باشد که توانایی اجرای مدل‌های پیشرفته هوش مصنوعی مانند پردازش تصویر، تحلیل صدا، ترجمه زنده و تعامل زبانی را به‌صورت مستقیم درون دستگاه خواهند داشت، بی‌آنکه به پردازش ابری نیاز مداوم داشته باشند. فناوری High Bandwidth Storage شرکت اس‌کی هاینیکس با ترکیب DRAM و NAND می‌تواند سرعت پردازش و توان هوش مصنوعی گوشی‌ها و تبلت‌ها را جهش دهد.

نوشته ترکیب DRAM و NAND در حافظه جدید اس‌کی هاینیکس برای افزایش توان پردازشی اولین بار در Technoc. پدیدار شد.