سامسونگ تولید انبوه V-NAND نسل 9 را آغاز کرد: تراکم بیشتر و سرعت بالاتر

سامسونگ به عنوان یکی از غول‌های فناوری کره جنوبی و جهان، خبر از آغاز تولید انبوه چیپ‌های حافظه نسل نهم V-NAND را داد. این نسل جدید از حافظه‌های فلش سه‌بعدی، نویدبخش افزایش چشمگیر ظرفیت، سرعت و کارایی برای دستگاه‌های الکترونیکی آینده است. V-NAND (مخفف Vertical NAND) به نوعی از حافظه‌های فلش گفته می‌شود که سلول‌های […]

۰۵ اردیبهشت , ۱۴۰۳ - 22:00
 0  0
سامسونگ تولید انبوه V-NAND نسل 9 را آغاز کرد: تراکم بیشتر و سرعت بالاتر

سامسونگ به عنوان یکی از غول‌های فناوری کره جنوبی و جهان، خبر از آغاز تولید انبوه چیپ‌های حافظه نسل نهم V-NAND را داد. این نسل جدید از حافظه‌های فلش سه‌بعدی، نویدبخش افزایش چشمگیر ظرفیت، سرعت و کارایی برای دستگاه‌های الکترونیکی آینده است. V-NAND (مخفف Vertical NAND) به نوعی از حافظه‌های فلش گفته می‌شود که سلول‌های حافظه آن به صورت عمودی روی هم قرار گرفته‌اند. این نوع جدید از حافظه‌ها در مقابل حافظه‌های NAND سنتی که سلول‌های حافظه در آن‌ها به صورت افقی در کنار هم قرار می‌گیرند، کارایی بهتری دارد.

تراشه‌های V-NAND نسل نهم سامسونگ، از نظر تراکم بیت (میزان اطلاعات ذخیره‌سازی شده در هر واحد) نسبت به نسل قبل، 50 درصد بهبود یافته‌اند. این بدان معناست که در فضایی مشابه و یکسان، می‌توان اطلاعات بسیار بیشتری را ذخیره کرد. همچنین، رابط کاربری جدیدی به نام Toggle 5.1 در این نسل از حافظه‌ها تعبیه شده که امکان انتقال اطلاعات با سرعت 3.2 گیگابیت بر ثانیه را فراهم می‌کند. این سرعت، 33 درصد بیشتر از نسل‌های پیشین است.

علاوه بر موارد فوق، مصرف انرژی چیپ‌های V-NAND نسل نهم سامسونگ نیز 10 درصد کاهش یافته است. این پیشرفت‌ها حاصل نوآوری‌های متعدد سامسونگ در زمینه‌هایی مانند جلوگیری از تداخل سلولی و افزایش طول عمر سلول‌های حافظه است. همچنین، سامسونگ از فناوری پیشرفته حکاکی حفره‌های کانال برای بهینه‌سازی فرایند تولید و افزایش بازدهی کارخانه‌های خود استفاده کرده است.

V-NAND نسل 9 سامسونگ

حافظه‌های V-NAND نسل نهم سامسونگ با ظرفیت بالا و سرعت فوق العاده، در طیف وسیعی از محصولات الکترونیکی از جمله درایوهای حالت جامد پر سرعت (SSD) به کار گرفته خواهند شد. البته، اغلب سخت افزارها در حال حاضر شرایط لازم برای بهره‌گیری کامل از حداکثر سرعت این تراشه‌ها را ندارد و از همین رو سامسونگ قصد دارد پشتیبانی از استاندارد PCIe 5.0 را نیز گسترش دهد.

در حال حاضر، سامسونگ تولید انبوه تراشه‌های V-NAND نسل نهم با ظرفیت یک ترابایت و سلول‌های سه‌سطحی (TLC) را آغاز کرده است. در نیمه دوم سال جاری نیز شاهد تولید انبوه مدل دیگری از این نسل با سلول‌های چهار سطحی (QLC) خواهیم بود. این پیشرفت‌ها می‌توانند نویدبخش افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی در گوشی‌های هوشمند، رایانه‌های شخصی، سرورها و سایر دستگاه‌های الکترونیکی باشند. حافظه‌های سریع‌تر و کم‌مصرف‌تر نیز به نوبه خود به بهبود عملکرد کلی دستگاه‌ها و افزایش طول عمر باتری آن‌ها کمک خواهد کرد.

با تولید انبوه V-NAND نسل نهم، سامسونگ جایگاه خود را به عنوان یکی از شرکت‌های پیشرو در عرصه تولید حافظه‌های فلش تثبیت خواهد کرد. این فناوری جدید، زمینه‌ساز توسعه نسل بعدی دستگاه‌های الکترونیکی با کارایی فوق العاده خواهد بود و از همین رو برای سامسونگ و سایر شرکت‌های فعال در این حوزه بسیار حائز اهمیت است.

واکنش شما چیست؟

like

dislike

love

funny

angry

sad

wow