هواوی با تولید تراشه ۳ نانومتری و فناوری GAA به‌دنبال خودکفایی در صنعت نیمه‌رسانا

هواوی پروژه ساخت تراشه ۳ نانومتری با فناوری Gate-All-Around FET و نانولوله کربنی را آغاز کرده است تا در صنعت نیمه‌رسانا به خودکفایی برسد.

به گزارش تک‌ناک، هواوی در ادامه‌ تلاش‌های خود برای دستیابی به خودکفایی در حوزه فناوری نیمه‌رساناها، پروژه‌ای بلندپروازانه را برای تولید تراشه ۳ نانومتری آغاز کرده است. با وجود تحریم‌های سخت‌گیرانه ایالات متحده آمریکا که دسترسی این غول چینی به فناوری‌های پیشرفته جهانی را محدود کرده‌اند، هواوی در حال تولید دو تراشه پیشرفته‌ است که می‌توانند آینده صنعت تراشه را تحت‌تأثیر قرار دهند.

بر‌اساس گزارش‌ها، هواوی هم‌زمان روی دو مسیر متفاوت متمرکز شده است:

• طراحی تراشه‌ای با فناوری Gate-All-Around FET که بازدهی انرژی و عملکرد بهتری از تراشه‌های کنونی دارد.
• استفاده از نیمه‌رساناهای مبتنی‌بر نانولوله‌های کربنی که گامی جسورانه و آینده‌نگر در این صنعت به شمار می‌رود.

طبق برنامه‌ریزی‌ها، زمان Tape-out این تراشه‌ها برای سال ۲۰۲۶ تعیین شده است و درصورت موفقیت‌آمیزبودن توسعه، تولید انبوه آن‌ها از سال ۲۰۲۷ آغاز خواهد شد.

به نقل از گیزموچاینا، گزارشی از رسانه تایوانی UDN نشان می‌دهد که هواوی با تکیه بر تجربه موفق تولید تراشه ۵ نانومتری کرین X90 که شرکت SMIC و بدون استفاده از ماشین‌های EUV شرکت ASML ساخته بود، گام در مسیر فناوری ۳ نانومتری گذاشته است. SMIC برای ساخت تراشه مذکور از لیتوگرافی DUV قدیمی و فرایند پیچیده چند الگویی استفاده کرد. این روش پرهزینه، تنها بازدهی ۲۰ درصدی داشت؛ رقمی که کمتر از شرکت‌هایی مانند TSMC است.

تراشه ۳ نانومتری GAA FET هواو می‌تواند جهشی چشمگیر ازنظر عملکرد و مصرف انرژی باشد؛ اما تولید آن با روش DUV می‌تواند به بازدهی کمتر و افزایش هزینه‌های تولید منجر شود. با‌این‌حال، هواوی سرمایه‌گذاری عظیمی در این زمینه کرده و طبق گزارش‌ها، ۳۷ میلیارد دلار برای توسعه فناوری داخلی EUV اختصاص داده است. برخی منابع داخلی ادعا می‌کنند که این فناوری ممکن است تا سال ۲۰۲۶ آماده بهره‌برداری شود.

در شبکه اجتماعی X، کاربری با نام @zephyr_z9 با لحنی امیدوارانه از احتمال موفقیت این پروژه سخن گفته است؛ اما در مقابل، برخی کارشناسان معتقدند که تسلط ASML بر فناوری EUV همچنان رقابتی نیست و هواوی مسیر سختی برای رسیدن به این سطح پیش‌ رو دارد. این غول فناوری چینی نیز مانند روند محرمانه عرضه تراشه کرین 9010، پیشرفت‌های احتمالی خود درزمینه فناوری EUV را به‌شدت پنهان نگه داشته است.

هواوی امیدوار است با بهره‌گیری از فناوری GAA و شاید نانولوله‌های کربنی، شکاف موجود با رقبایی مانند سامسونگ و TSMC را کاهش دهد که هم‌اکنون از ماشین‌های EUV برای تولید تراشه‌های ۳ نانومتری استفاده می‌کنند. در‌صورت موفقیت، این اقدام می‌تواند نقش چین را در رقابت جهانی صنعت تراشه‌ها بازتعریف کند. با نزدیک‌شدن به سال ۲۰۲۶، به‌ نظر می‌رسد اخبار و گمانه‌زنی‌های بیشتری از این پروژه بزرگ شنیده شود.

نوشته هواوی با تولید تراشه ۳ نانومتری و فناوری GAA به‌دنبال خودکفایی در صنعت نیمه‌رسانا اولین بار در تک ناک - اخبار تکنولوژی روز جهان و ایران. پدیدار شد.